FDG312P

Nombor Produk Pengeluar:

FDG312P

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FDG312P-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

Penerangan Terperinci:

P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventori:

RFQ Dalam Talian

12836577

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

FDG312P Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

onsemi

Pembungkusan

-

Siri

PowerTrench®

Status Produk

Active

Jenis FET

P-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

20 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

2.5V, 4.5V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.5V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

5 nC @ 4.5 V

Vgs (Maks)

±8V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

330 pF @ 10 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

750mW (Ta)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

SC-88 (SC-70-6)

Pakej / Kes

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Nombor Produk Asas

FDG312

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

3,000

Nama lain

FDG312PTR

FDG312PDKR

FDG312PCT

2832-FDG312P

FDG312P-DG

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

onsemi

2SK4116LS

MOSFET N-CH 400V 8.9A TO220FI

onsemi

FDS8882

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC

onsemi

FQU7P06TU_NB82048

MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK

onsemi

FQPF5N50CYDTU

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3