Nombor Produk Pengeluar:

FDC2612

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FDC2612-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Penerangan Terperinci:

N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventori:

RFQ Dalam Talian

12838173

Minta Sebut Harga

Kuantiti
Minimum 1

(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

HANTAR

FDC2612 Spesifikasi Teknikal

Kategori

FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar

onsemi

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Siri

PowerTrench®

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

200 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs

725mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

234 pF @ 100 V

Ciri FET

-

Pelesapan Kuasa (Maks)

1.6W (Ta)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal

SuperSOT™-6

Pakej / Kes

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Nombor Produk Asas

FDC2612

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data

Lembaran Data HTML

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard

3,000

Nama lain

FDC2612-DG

FDC2612CT

FDC2612TR

FDC2612DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sijil DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Berkaitan

62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

onsemi

FQI13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

onsemi

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

onsemi

ECH8419-TL-H

MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH