FDB86102LZ
Nombor Produk Pengeluar:

FDB86102LZ

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FDB86102LZ-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventori:

800 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12836983
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

FDB86102LZ Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1275 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.1W (Ta)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
FDB86102

Lembaran data & Dokumen

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
800
Nama lain
FDB86102LZTR
FDB86102LZDKR
2156-FDB86102LZ-OS
FDB86102LZCT
ONSFSCFDB86102LZ
FDB86102LZ-DG

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
onsemi

2SJ661-DL-E

MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD

onsemi

FDZ193P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

onsemi

HUFA75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

onsemi

FDS86240

MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC