FDB6021P
Nombor Produk Pengeluar:

FDB6021P

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FDB6021P-DG

Penerangan:

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
Penerangan Terperinci:
P-Channel 20 V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventori:

12932222
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

FDB6021P Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
-
Siri
PowerTrench®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
28A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.8V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
30mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1890 pF @ 10 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
37W (Tc)
Suhu Operasi
-65°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
FDB602

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
800

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
renesas-electronics-america

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

harris-corporation

IRFU221

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2114-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFS254BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET