FCB125N65S3
Nombor Produk Pengeluar:

FCB125N65S3

Product Overview

Pengeluar:

onsemi

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FCB125N65S3-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventori:

800 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12938392
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

FCB125N65S3 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
SuperFET® III
Status Produk
Not For New Designs
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 590µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1940 pF @ 400 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
181W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
FCB125

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
800
Nama lain
488-FCB125N65S3CT
488-FCB125N65S3TR
488-FCB125N65S3DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMBOR BAHAGIAN
NVB125N65S3
PENGELUAR
onsemi
JUMLAH TERSATU
800
NOMBOR BAHAGIAN
NVB125N65S3-DG
HARGA UNIT
1.73
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
renesas-electronics-america

2SK3900-ZP-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

renesas-electronics-america

RJL5012DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

NTBG160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

sanyo

2SK4085LS-1E

N-CHANNEL SILICON MOSFET