Nombor Produk Pengeluar:
DTD113E
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
DTD113E-DG
Penerangan:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Penerangan Terperinci:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventori:
25000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12934311
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
DTD113E Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Pra-Bias Tunggal
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
NPN - Pre-Biased
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
100 mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
50 V
Perintang - Asas (R1)
1 kOhms
Perintang - Pangkalan Pemancar (R2)
1 kOhms
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
500nA
Kuasa - Maks
350 mW
Gred
-
Kelayakan
-
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pakej Peranti Pembekal
TO-92 (TO-226)
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
11,539
Nama lain
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
