Nombor Produk Pengeluar:
2SJ652-1E
Product Overview
Pengeluar:
onsemi
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2SJ652-1E-DG
Penerangan:
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Penerangan Terperinci:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Inventori:
12920749
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2SJ652-1E Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
onsemi
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
28A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
38mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4360 pF @ 20 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2W (Ta), 30W (Tc)
Suhu Operasi
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220F-3SG
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Nombor Produk Asas
2SJ652
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
