GAN140-650EBEZ
Nombor Produk Pengeluar:

GAN140-650EBEZ

Product Overview

Pengeluar:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

GAN140-650EBEZ-DG

Penerangan:

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8

Inventori:

2461 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13005803
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

GAN140-650EBEZ Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Nexperia
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
17A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 17.2mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (Maks)
+7V, -1.4V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
125 pF @ 400 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
113W (Ta)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount, Wettable Flank
Pakej Peranti Pembekal
DFN8080-8
Pakej / Kes
8-VDFN Exposed Pad
Nombor Produk Asas
GAN140

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
1727-GAN140-650EBEZCT
1727-GAN140-650EBEZDKR
934665902332
5202-GAN140-650EBEZTR
1727-GAN140-650EBEZTR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
toshiba-semiconductor-and-storage

XPJR6604PB,LXHQ

40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL

panjit

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5542-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

wolfspeed

E3M0045065K

SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4