Nombor Produk Pengeluar:
GAN039-650NTBZ
Product Overview
Pengeluar:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
GAN039-650NTBZ-DG
Penerangan:
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 58.5A (Ta) 250W (Ta) Surface Mount CCPAK1212i
Inventori:
13259569
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
GAN039-650NTBZ Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Nexperia
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
58.5A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
39mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.6V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1980 pF @ 400 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Ta)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
CCPAK1212i
Pakej / Kes
12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
1727-GAN039-650NTBZTR
1727-GAN039-650NTBZCT
1727-GAN039-650NTBZDKR
934662153139
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
2N7002AKS-QX
MOS DISCRETES
2N7002AK-QR
MOS DISCRETES
BSS138AKS-QX
MOS DISCRETES