Nombor Produk Pengeluar:
JAN2N6800
Product Overview
Pengeluar:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
JAN2N6800-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
Penerangan Terperinci:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventori:
12928976
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
JAN2N6800 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Microsemi
Pembungkusan
-
Siri
Military, MIL-PRF-19500/557
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
400 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-39
Pakej / Kes
TO-205AF Metal Can
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1
Nama lain
JAN2N6800-DG
JAN2N6800-MIL
150-JAN2N6800
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
NTB90N02T4G
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
JANTXV2N6800U
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC