Nombor Produk Pengeluar:
2N6798
Product Overview
Pengeluar:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2N6798-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
Penerangan Terperinci:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventori:
13262400
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2N6798 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Microsemi
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
5.29 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-39
Pakej / Kes
TO-205AF Metal Can
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1
Nama lain
2N6798-ND
150-2N6798
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
MSC035SMA070B
MOSFET N-CH 700V TO247
APTM50SKM19G
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
APT20M20B2FLLG
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
