Nombor Produk Pengeluar:
2N6796
Product Overview
Pengeluar:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2N6796-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventori:
13247001
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2N6796 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Microsemi
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-39
Pakej / Kes
TO-205AF Metal Can
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1
Nama lain
2N6796-ND
150-2N6796
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
JANSR2N7380
MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257
APTC60DAM35T1G
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
APT77N60BC6
MOSFET N-CH 600V 77A TO247
