Nombor Produk Pengeluar:
2N6766
Product Overview
Pengeluar:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2N6766-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Penerangan Terperinci:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Inventori:
13259809
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2N6766 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Microsemi
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
90mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
4W (Ta), 150W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-3
Pakej / Kes
TO-204AE
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1
Nama lain
2N6766-ND
150-2N6766
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
2N7224
MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
APT50M75JLLU3
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
APT19F100J
MOSFET N-CH 1000V 20A ISOTOP
