Nombor Produk Pengeluar:
2N5011
Product Overview
Pengeluar:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
2N5011-DG
Penerangan:
NPN SILICON TRANSISTOR
Penerangan Terperinci:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
Inventori:
13251752
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
2N5011 Spesifikasi Teknikal
Kategori
Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Tunggal
Pengeluar
Microsemi
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
NPN
Semasa - Pengumpul (Ic) (Maks)
200 mA
Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)
600 V
Ketepuan Vce (Maks) @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
Semasa - Pemotongan Pemungut (Maks)
10nA (ICBO)
Keuntungan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Kuasa - Maks
1 W
Kekerapan - Peralihan
-
Suhu Operasi
-65°C ~ 200°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Pakej Peranti Pembekal
TO-5AA
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1
Nama lain
150-2N5011
2N5011-ND
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
2N6678T1
NPN TRANSISTOR
2N6546
TRANS NPN 300V 15A TO204AD
2N6318
TRANS PNP 80V 0.002A TO66
