Nombor Produk Pengeluar:
MCB60I1200TZ
Product Overview
Pengeluar:
IXYS
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
MCB60I1200TZ-DG
Penerangan:
1200V 90A SIC POWER MOSFET
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Inventori:
12915364
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
MCB60I1200TZ Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Littelfuse
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
20V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 15mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+20V, -5V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
-
Suhu Operasi
-40°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-268AA (D3Pak-HV)
Pakej / Kes
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Nombor Produk Asas
MCB60I1200
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
30
Nama lain
Q10970246
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IRFPG40
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO