LSIC1MO120G0160
Nombor Produk Pengeluar:

LSIC1MO120G0160

Product Overview

Pengeluar:

Littelfuse Inc.

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

LSIC1MO120G0160-DG

Penerangan:

MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventori:

12965591
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

LSIC1MO120G0160 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Littelfuse
Pembungkusan
-
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
20V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
200mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 5mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
50 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+22V, -6V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
890 pF @ 800 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-4L
Pakej / Kes
TO-247-4
Nombor Produk Asas
LSIC1MO120

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
30
Nama lain
-1024-LSIC1MO120G0160
18-LSIC1MO120G0160

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

vishay-siliconix

SIHFR1N60A-GE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

vishay-siliconix

SQJQ112E-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

vishay-siliconix

SIDR626LEP-T1-RE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET