IXFT16N120P
Nombor Produk Pengeluar:

IXFT16N120P

Product Overview

Pengeluar:

IXYS

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IXFT16N120P-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventori:

97 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12911448
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IXFT16N120P Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Littelfuse
Pembungkusan
Tube
Siri
HiPerFET™, Polar
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
950mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6.5V @ 1mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
660W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-268AA
Pakej / Kes
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Nombor Produk Asas
IXFT16

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
IXFT16N120P
Lembaran Data HTML
IXFT16N120P-DG
Helaian data
IXF(H,T)16N120P

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
30

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

IRF634L

MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK

vishay-siliconix

SI7186DP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRF540

MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB

vishay-siliconix

IRF840ASTRL

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK