Nombor Produk Pengeluar:
IRF6668TRPBF
Product Overview
Pengeluar:
International Rectifier
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IRF6668TRPBF-DG
Penerangan:
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Penerangan Terperinci:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventori:
59676 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12946483
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
rwLT
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IRF6668TRPBF Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
HEXFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
80 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
55A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
15mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.9V @ 100µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1320 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
DIRECTFET™ MZ
Pakej / Kes
DirectFET™ Isometric MZ
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
318
Nama lain
2156-IRF6668TRPBF
INFINFIRF6668TRPBF
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
STD20NF06T4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
FDC855N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FQP3N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3