IRF1407PBF
Nombor Produk Pengeluar:

IRF1407PBF

Product Overview

Pengeluar:

International Rectifier

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IRF1407PBF-DG

Penerangan:

IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Penerangan Terperinci:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventori:

1150 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12946794
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IRF1407PBF Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
HEXFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
75 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
330W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
236
Nama lain
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

HTSUS
0000.00.0000
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
fairchild-semiconductor

FDFMA2P853

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8