Nombor Produk Pengeluar:
SPI80N10L
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
SPI80N10L-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventori:
13064307
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Ht00
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
SPI80N10L Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
-
Siri
SIPMOS®
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
14mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 2mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO262-3-1
Pakej / Kes
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nombor Produk Asas
SPI80N
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
500
Nama lain
SP000014351
SPI80N10LX
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
STD80N10F7
PENGELUAR
STMicroelectronics
JUMLAH TERSATU
2500
NOMBOR BAHAGIAN
STD80N10F7-DG
HARGA UNIT
0.69
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
