Nombor Produk Pengeluar:
IRFB3306PBF
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IRFB3306PBF-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventori:
5368 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13064037
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
7bJm
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IRFB3306PBF Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tube
Siri
HEXFET®
Pembungkusan
Tube
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 150µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4520 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
230W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
IRFB3306
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
448-IRFB3306PBF
IRFB3306PBF-ND
SP001556002
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPP65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
IPD06P004NATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3
