IPN60R1K0CEATMA1
Nombor Produk Pengeluar:

IPN60R1K0CEATMA1

Product Overview

Pengeluar:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IPN60R1K0CEATMA1-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3

Inventori:

12818273
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IPN60R1K0CEATMA1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
CoolMOS™ CE
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 130µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
280 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-SOT223-3
Pakej / Kes
TO-261-4, TO-261AA
Nombor Produk Asas
IPN60R1

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
IPN60R1K0CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K0CEATMA1TR
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1CT
IPN60R1K0CEATMA1DKR
IPN60R1K0CEATMA1TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
texas-instruments

CSD18502KCS

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

infineon-technologies

IRF6629TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR9120NTRLPBF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

infineon-technologies

IRLR2905TRPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK