IPN50R650CEATMA1
Nombor Produk Pengeluar:

IPN50R650CEATMA1

Product Overview

Pengeluar:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IPN50R650CEATMA1-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Penerangan Terperinci:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3

Inventori:

13064104
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IPN50R650CEATMA1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
-
Siri
CoolMOS™ CE
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
500 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
13V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 150µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
342 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-SOT223-3
Pakej / Kes
TO-261-4, TO-261AA
Nombor Produk Asas
IPN50R650

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
IPN50R650CEATMA1TR
IPN50R650CEATMA1-ND
SP001434880
INFINFIPN50R650CEATMA1
IPN50R650CEATMA1DKR
IPN50R650CEATMA1CT
2156-IPN50R650CEATMA1

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
infineon-technologies

IRF3709STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

infineon-technologies

IRF2204LPBF

MOSFET N-CH 40V 170A TO262

infineon-technologies

IRF7205TRPBF

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

infineon-technologies

IRF7807VD1TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO