IPL65R099C7AUMA1
Nombor Produk Pengeluar:

IPL65R099C7AUMA1

Product Overview

Pengeluar:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IPL65R099C7AUMA1-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Inventori:

9332 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12818138
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
ecKp
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IPL65R099C7AUMA1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
CoolMOS™ C7
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
99mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 590µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
128W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-VSON-4
Pakej / Kes
4-PowerTSFN
Nombor Produk Asas
IPL65R099

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
448-IPL65R099C7AUMA1DKR
448-IPL65R099C7AUMA1CT
IFEINFIPL65R099C7AUMA1
SP001032722
2156-IPL65R099C7AUMA1
IPL65R099C7AUMA1-DG
448-IPL65R099C7AUMA1TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
rohm-semi

RSR010N10HZGTL

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

rohm-semi

RSR025N03HZGTL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RSQ035N03HZGTR

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

rohm-semi

R5019ANJTL

MOSFET N-CH 500V 19A LPTS