IPDQ60R022S7AXTMA1
Nombor Produk Pengeluar:

IPDQ60R022S7AXTMA1

Product Overview

Pengeluar:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IPDQ60R022S7AXTMA1-DG

Penerangan:

MOSFET
Penerangan Terperinci:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1

Inventori:

750 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13371948
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IPDQ60R022S7AXTMA1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
CoolMOS™
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
12V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 1.44mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5640 pF @ 300 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
416W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-HDSOP-22-1
Pakej / Kes
22-PowerBSOP Module
Nombor Produk Asas
IPDQ60R

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
750
Nama lain
448-IPDQ60R022S7AXTMA1CT
SP002373870
448-IPDQ60R022S7AXTMA1TR
448-IPDQ60R022S7AXTMA1DKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
taiwan-semiconductor

TQM070NH04CR RLG

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G130N06S

MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8

coolcad

CC-C2-B15-0322

SiC Power MOSFET 1200V 12A