IPD50N06S4L12ATMA2
Nombor Produk Pengeluar:

IPD50N06S4L12ATMA2

Product Overview

Pengeluar:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IPD50N06S4L12ATMA2-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventori:

17005 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12800766
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IPD50N06S4L12ATMA2 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 20µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±16V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2890 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
50W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3-11
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nombor Produk Asas
IPD50

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
INFINFIPD50N06S4L12ATMA2
2156-IPD50N06S4L12ATMA2
IPD50N06S4L12ATMA2DKR
IPD50N06S4L12ATMA2TR
SP001028640
IPD50N06S4L12ATMA2CT

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
infineon-technologies

BSC360N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON

infineon-technologies

IPC95R750P7X7SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IPB240N03S4LR8ATMA1

MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7

infineon-technologies

IPC60R099C6X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE