Nombor Produk Pengeluar:
IPD082N10N3GATMA1
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IPD082N10N3GATMA1-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventori:
31476 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12800584
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IPD082N10N3GATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 75µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nombor Produk Asas
IPD082
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
2,500
Nama lain
IPD082N10N3GATMA1-DG
IPD082N10N3GATMA1TR
SP001127824
IPD082N10N3GATMA1CT
IPD082N10N3GATMA1DKR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPA50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP
IPC60R280E6X7SA1
MOSFET N-CH
