Nombor Produk Pengeluar:
IPB80N06S2L11ATMA2
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Penerangan Terperinci:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventori:
923 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12802443
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IPB80N06S2L11ATMA2 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
55 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 93µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2075 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
158W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3-2
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
IPB80N
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
INFINFIPB80N06S2L11ATMA2
IPB80N06S2L11ATMA2-DG
448-IPB80N06S2L11ATMA2TR
448-IPB80N06S2L11ATMA2DKR
SP001061398
2156-IPB80N06S2L11ATMA2
448-IPB80N06S2L11ATMA2CT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
STB140NF55T4
PENGELUAR
STMicroelectronics
JUMLAH TERSATU
989
NOMBOR BAHAGIAN
STB140NF55T4-DG
HARGA UNIT
1.53
JENIS SUBSTITUSI
MFR Recommended
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
BSC240N12NS3 G
MOSFET N-CH 120V 37A TDSON-8-1
AUIRFS8409TRL
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRF1405
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
