Nombor Produk Pengeluar:
IPB65R660CFDAATMA1
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IPB65R660CFDAATMA1-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventori:
4518 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12801349
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IPB65R660CFDAATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
CoolMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 200µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
543 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
62.5W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
IPB65R660
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
448-IPB65R660CFDAATMA1TR
448-IPB65R660CFDAATMA1DKR
IPB65R660CFDAATMA1-DG
2156-IPB65R660CFDAATMA1
448-IPB65R660CFDAATMA1CT
SP000875794
INFINFIPB65R660CFDAATMA1
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
