IPB65R110CFDAATMA1
Nombor Produk Pengeluar:

IPB65R110CFDAATMA1

Product Overview

Pengeluar:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IPB65R110CFDAATMA1-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventori:

1000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12805519
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IPB65R110CFDAATMA1 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
CoolMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
277.8W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
IPB65R110

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
1,000
Nama lain
IPB65R110CFDAATMA1DKR
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
IPB65R110CFDAATMA1CT
IPB65R110CFDAATMA1-DG

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
infineon-technologies

IPI45N06S4L08AKSA3

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

infineon-technologies

IRFS3806PBF

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

infineon-technologies

IRF8302MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET

infineon-technologies

IPB120N04S401ATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK