Laman Utama
Produk
Pengeluar
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Catatan
RFQ/Quotasi
Malaysia
Log Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa pilihan anda:
Malaysia
Tukar:
Bahasa Inggeris
Eropah
United Kingdom
Perancis
Sepanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norway
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Bahasa Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Bahasa Czech
Bahasa Yunani
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Belanda
Sweden
Montenegro
Bahasa Basque
Iceland
Bosnia
Bahasa Hungary
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pasifik
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Bahasa Filipino
Malaysia
Korea
Jepun
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kemboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Emiriah Arab Bersatu
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maghribi
Tunisia
Amerika Selatan / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Syarikat
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sijil Kami
Pengenalan
Mengapa DiGi
Dasar
Dasar Kualiti
Terma penggunaan
Pematuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber
Kategori Produk
Pengeluar
Blog dan Catatan
Perkhidmatan
Jaminan Kualiti
Kaedah Pembayaran
Penghantaran Global
Kadar Penghantaran
Soalan Lazim
Nombor Produk Pengeluar:
IPB65R110CFDAATMA1
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventori:
1000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12805519
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
*
Syarikat
*
Nama Kontak
*
Telefon
*
E-mel
Alamat Penghantaran
Mesej
(
*
) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IPB65R110CFDAATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
CoolMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
277.8W (Tc)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
IPB65R110
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
IPB65R110CFDAATMA1
Lembaran Data HTML
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Helaian data
IPx65R110CFDA
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
IPB65R110CFDAATMA1DKR
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
IPB65R110CFDAATMA1CT
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IPI45N06S4L08AKSA3
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
IRFS3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
IRF8302MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
IPB120N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK