Nombor Produk Pengeluar:
IPB081N06L3GATMA1
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IPB081N06L3GATMA1-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventori:
5151 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12803619
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IPB081N06L3GATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 34µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4900 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
79W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nombor Produk Asas
IPB081
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
IPB081N06L3 GDKR-DG
IPB081N06L3GATMA1DKR
IPB081N06L3 GDKR
IPB081N06L3G
SP000398076
IPB081N06L3GATMA1CT
IPB081N06L3 GCT-DG
IPB081N06L3 GTR-DG
IPB081N06L3GATMA1TR
IPB081N06L3 G-DG
IPB081N06L3 GCT
IPB081N06L3 G
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IRF1503STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IPP77N06S212AKSA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPD60R450E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
