Nombor Produk Pengeluar:
IPB017N06N3GATMA1
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IPB017N06N3GATMA1-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventori:
9000 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12800328
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IPB017N06N3GATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 196µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
23000 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-7
Pakej / Kes
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Nombor Produk Asas
IPB017
Lembaran data & Dokumen
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
SP000434404
IPB017N06N3 G
IPB017N06N3G
IPB017N06N3 GCT
IPB017N06N3 GCT-DG
IPB017N06N3 G-DG
IPB017N06N3GATMA1DKR
IPB017N06N3 GTR-DG
IPB017N06N3GATMA1TR
IPB017N06N3 GDKR
IPB017N06N3 GTR
IPB017N06N3GATMA1CT
IPB017N06N3 GDKR-DG
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
BSF045N03MQ3 G
MOSFET N-CH 30V 18A/63A 2WDSON
IPC045N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
