Nombor Produk Pengeluar:
BSZ160N10NS3GATMA1
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
BSZ160N10NS3GATMA1-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventori:
58462 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12801400
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
BSZ160N10NS3GATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
8A (Ta), 40A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 12µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1700 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TSDSON-8
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Nombor Produk Asas
BSZ160
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
5,000
Nama lain
BSZ160N10NS3 GINTR-DG
BSZ160N10NS3 G-DG
BSZ160N10NS3 GINDKR-DG
BSZ160N10NS3GATMA1CT
BSZ160N10NS3 GINCT-DG
BSZ160N10NS3G
BSZ160N10NS3 GINDKR
SP000482390
BSZ160N10NS3 GINTR
BSZ160N10NS3 G
BSZ160N10NS3GATMA1DKR
BSZ160N10NS3GATMA1TR
BSZ160N10NS3 GINCT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
