Nombor Produk Pengeluar:
BSC060P03NS3EGATMA1
Product Overview
Pengeluar:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
Penerangan:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Penerangan Terperinci:
P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventori:
10343 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12799628
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
EPaY
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
BSC060P03NS3EGATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Infineon Technologies
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
17.7A (Ta), 100A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.1V @ 150µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±25V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6020 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TDSON-8-1
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Nombor Produk Asas
BSC060
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
5,000
Nama lain
BSC060P03NS3E GDKR-DG
BSC060P03NS3E GCT
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3EGATMA1TR
BSC060P03NS3E GDKR
2156-BSC060P03NS3EGATMA1
INFINFBSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
BSC060P03NS3E G-DG
BSC060P03NS3EGATMA1CT
BSC060P03NS3E GCT-DG
BSC060P03NS3E GTR-DG
BSC060P03NS3EGATMA1DKR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
