IRF647
Nombor Produk Pengeluar:

IRF647

Product Overview

Pengeluar:

Harris Corporation

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

IRF647-DG

Penerangan:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Penerangan Terperinci:
N-Channel 275 V 13A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventori:

1595 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12933656
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

IRF647 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
275 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
340mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lembaran data & Dokumen

Helaian data
Datasheet

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
290
Nama lain
HARHARIRF647
2156-IRF647

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
harris-corporation

IRF711

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76129D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDME0106NZT

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

IRF841

N-CHANNEL POWER MOSFET