Nombor Produk Pengeluar:
IRF626
Product Overview
Pengeluar:
Harris Corporation
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
IRF626-DG
Penerangan:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Penerangan Terperinci:
N-Channel 275 V 3.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventori:
997 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12933619
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
IRF626 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
275 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
340 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
40W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
523
Nama lain
HARHARIRF626
2156-IRF626
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
2SK1401A-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF9522
P-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76121P3
N-CHANNEL POWER MOSFET
