Nombor Produk Pengeluar:
GT110N06S
Product Overview
Pengeluar:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
GT110N06S-DG
Penerangan:
N60V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<1
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventori:
5028 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12974570
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
GT110N06S Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Goford Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
SGT
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Ciri FET
Standard
Pelesapan Kuasa (Maks)
3W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
8-SOP
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
4,000
Nama lain
3141-GT110N06SDKR
3141-GT110N06SCT
3141-GT110N06STR
4822-GT110N06STR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
FDMS86163P-23507X
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
NTTFS080N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE