Nombor Produk Pengeluar:
G130N06M
Product Overview
Pengeluar:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
G130N06M-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Penerangan Terperinci:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventori:
12993058
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
G130N06M Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Goford Semiconductor
Pembungkusan
-
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (Maks)
±20V
Ciri FET
Standard
Pelesapan Kuasa (Maks)
85W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,600
Nama lain
4822-G130N06MTR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
G130N06M
PENGELUAR
Goford Semiconductor
JUMLAH TERSATU
780
NOMBOR BAHAGIAN
G130N06M-DG
HARGA UNIT
0.32
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
DMTH12H007SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMP3007LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
DMP27M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060