Nombor Produk Pengeluar:
G02P06
Product Overview
Pengeluar:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
G02P06-DG
Penerangan:
P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Penerangan Terperinci:
P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventori:
6834 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12986628
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
G02P06 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Goford Semiconductor
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
573 pF @ 30 V
Ciri FET
Standard
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.5W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
SOT-23
Pakej / Kes
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
3141-G02P06CT
4822-G02P06TR
3141-G02P06DKR
3141-G02P06TR
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
C3M0120065J
650V 120M SIC MOSFET
SQJA82EP-T1_BE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
FDC6N50NZFTM
FDC6N50NZFTM
