Nombor Produk Pengeluar:
FDB029N06
Product Overview
Pengeluar:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
FDB029N06-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventori:
5208 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12946970
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
G9hg
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
FDB029N06 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
9815 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
231W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
73
Nama lain
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
AUIRF1010ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
FDS4470
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
