FDB029N06
Nombor Produk Pengeluar:

FDB029N06

Product Overview

Pengeluar:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FDB029N06-DG

Penerangan:

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Penerangan Terperinci:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventori:

5208 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12946970
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
adlu
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

FDB029N06 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Pembungkusan
Bulk
Siri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
9815 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
231W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (D2PAK)
Pakej / Kes
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lembaran data & Dokumen

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
73
Nama lain
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
international-rectifier

AUIRF1010ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8796

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD8880_F054

1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE