EPC2110ENGRT
Nombor Produk Pengeluar:

EPC2110ENGRT

Product Overview

Pengeluar:

EPC

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

EPC2110ENGRT-DG

Penerangan:

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Penerangan Terperinci:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die

Inventori:

RFQ Dalam Talian
12795179
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

EPC2110ENGRT Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Array
Pengeluar
EPC
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
eGaN®
Status Produk
Active
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfigurasi
2 N-Channel (Dual) Common Source
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
120V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
3.4A
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 700µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
80pF @ 60V
Kuasa - Maks
-
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
Die
Pakej Peranti Pembekal
Die
Nombor Produk Asas
EPC211

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
EPC2110ENGRT
Lembaran Data HTML
EPC2110ENGRT-DG
Helaian data
EPC2110

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
epc

EPC2106

GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

epc

EPC2105ENGRT

GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE

epc

EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

epc

EPC2110

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE