FBG20N18BC
Nombor Produk Pengeluar:

FBG20N18BC

Product Overview

Pengeluar:

EPC Space, LLC

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

FBG20N18BC-DG

Penerangan:

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Penerangan Terperinci:
N-Channel 200 V 18A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Inventori:

115 Pcs Baru Asli Dalam Stok
12997386
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

FBG20N18BC Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
EPC Space
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 3mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
900 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
-
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
4-SMD
Pakej / Kes
4-SMD, No Lead

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
154
Nama lain
4107-FBG20N18BC

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
rohm-semi

R6524KNXC7G

650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

vishay-siliconix

SQA405CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)

panjit

PJP12NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SIHB055N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST