DMWSH120H90SM4Q
Nombor Produk Pengeluar:

DMWSH120H90SM4Q

Product Overview

Pengeluar:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

DMWSH120H90SM4Q-DG

Penerangan:

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 235W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventori:

47 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13000679
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

DMWSH120H90SM4Q Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
15V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
97.5mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 5mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
47.6 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
+19V, -8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1112 pF @ 1000 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
235W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-4
Pakej / Kes
TO-247-4

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
DMWSH120H90SM4Q
Lembaran Data HTML
DMWSH120H90SM4Q-DG
Helaian data
DMWSH120H90SM4Q

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
30
Nama lain
31-DMWSH120H90SM4Q

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Berkaitan
diodes

DMWSH120H28SM4Q

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

diodes

DMN2310UW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

DMT32M4LFG-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6