Nombor Produk Pengeluar:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Pengeluar:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
DMWS120H100SM4-DG
Penerangan:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Penerangan Terperinci:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventori:
2 Pcs Baru Asli Dalam Stok
13001177
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
DMWS120H100SM4 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
15V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 5mA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
+19V, -8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
208W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-4
Pakej / Kes
TO-247-4
Nombor Produk Asas
DMWS120
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
30
Nama lain
31-DMWS120H100SM4
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
