Nombor Produk Pengeluar:
DMT10H9M9SH3
Product Overview
Pengeluar:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
DMT10H9M9SH3-DG
Penerangan:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 84A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-251
Inventori:
12979041
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
DMT10H9M9SH3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
84A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
114W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-251
Pakej / Kes
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Nombor Produk Asas
DMT10
Lembaran data & Dokumen
Helaian data
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
75
Nama lain
31-DMT10H9M9SH3
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
GCMS080B120S1-E1
SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
DMP10H088SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMT64M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
