DMT10H032LK3-13
Nombor Produk Pengeluar:

DMT10H032LK3-13

Product Overview

Pengeluar:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

DMT10H032LK3-13-DG

Penerangan:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventori:

12992704
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

DMT10H032LK3-13 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Bulk
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
683 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.6W (Ta)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
TO-252 (DPAK)
Pakej / Kes
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nombor Produk Asas
DMT10

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,500
Nama lain
31-DMT10H032LK3-13
DMT10H032LK3

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
diodes

DMPH33M8SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506

infineon-technologies

ISC030N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

ISZ330N12LM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

infineon-technologies

IPT017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V