DMN10H220LFVW-7
Nombor Produk Pengeluar:

DMN10H220LFVW-7

Product Overview

Pengeluar:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

DMN10H220LFVW-7-DG

Penerangan:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Penerangan Terperinci:
N-Channel 100 V 11A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventori:

13000430
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

DMN10H220LFVW-7 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
222mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
366 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount, Wettable Flank
Pakej Peranti Pembekal
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakej / Kes
8-PowerVDFN
Nombor Produk Asas
DMN10

Lembaran data & Dokumen

Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
2,000
Nama lain
31-DMN10H220LFVW-7TR

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SQJ403BEEP-T1_BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

diodes

DMP3028LFDEQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

goford-semiconductor

9926

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<30

vishay-siliconix

SIHP22N60AE-BE3

N-CHANNEL 600V