DMN1019USNQ-7
Nombor Produk Pengeluar:

DMN1019USNQ-7

Product Overview

Pengeluar:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Nombor Bahagian:

DMN1019USNQ-7-DG

Penerangan:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Penerangan Terperinci:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3

Inventori:

13002775
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR

DMN1019USNQ-7 Spesifikasi Teknikal

Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.2V, 4.5V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±8V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2426 pF @ 10 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
680mW (Ta)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gred
Automotive
Kelayakan
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
SC-59-3
Pakej / Kes
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombor Produk Asas
DMN1019

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data
Lembaran Data HTML
Helaian data

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
31-DMN1019USNQ-7

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMBOR BAHAGIAN
DMN1019USNQ-13
PENGELUAR
Diodes Incorporated
JUMLAH TERSATU
0
NOMBOR BAHAGIAN
DMN1019USNQ-13-DG
HARGA UNIT
0.10
JENIS SUBSTITUSI
Parametric Equivalent
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
vishay-siliconix

SQS182ELNW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

diodes

DMN2710UFB-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

taiwan-semiconductor

TQM025NH04CR RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

taiwan-semiconductor

TSM060NB06CZ C0G

60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE