Nombor Produk Pengeluar:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Pengeluar:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Nombor Bahagian:
DMG7N65SJ3-DG
Penerangan:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Penerangan Terperinci:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Inventori:
12884126
Minta Sebut Harga
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam
HANTAR
DMG7N65SJ3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pengeluar
Diodes Incorporated
Pembungkusan
-
Siri
Automotive, AEC-Q101
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
886 pF @ 50 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-251
Pakej / Kes
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nombor Produk Asas
DMG7N65
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
75
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sijil DIGI
Produk Berkaitan
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
2N7002-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
